[发明专利]用于提供用于极紫外线光刻工艺的非对称光瞳配置的方法在审
| 申请号： | 201710071207.1 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN107065447A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 钟家峻;陈家桢;石志聪;陈政宏;游信胜;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括提供一种集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置(也被称为照射模式)；选择的配置为非对称的单极配置。确定使用选定配置所模拟的部件的图案的成像与部件的图案的设计的成像之间的至少一种差别；然后修改参数(也被称为补偿参数)以解决至少一种差别，其中该参数为设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；然后使用选定的配置和修改的参数将衬底暴露至部件的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 紫外线 光刻 工艺 对称 配置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置，其中，所述配置为非对称的单极配置；确定所述部件的图案的模拟成像与所述部件的图案的设计成像之间的至少一种差别；修改参数以解决所述至少一种差别，其中，所述参数是设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；以及使用选择的所述配置和修改的所述参数使衬底暴露至所述部件的图案。
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