[发明专利]一种用于生产硅烷的隔壁塔有效
申请号: | 201710072132.9 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN106587072B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 吴锋;田新;王德芸;崔会为 | 申请(专利权)人: | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/04 | 分类号: | C01B33/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
地址: | 221004 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于生产硅烷的隔壁塔,塔身自上而下依次为上塔区1、中塔区2和下塔区3,塔身一侧为进料侧,塔身另一侧为出料侧;所述中塔区包含靠近进料侧的中塔板区和靠近侧线出料侧的中填料区,所述以中塔板区和中填料区以隔壁进行分隔。使用本发明隔壁塔能够减少设备投资,减小占地面积,运行过程中也较为节能,提高了反应转化率,对于硅烷成本降低有较大优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 生产 硅烷 隔壁 | ||
【主权项】:
1.一种生产硅烷的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将液体催化剂通过第一进料口(4)、将三氯氢硅通过第二进料(5)引入隔壁塔中;(2)上塔区(1)的回流分别进入中塔板区(201)和中填料区(202);(3)上塔区(1)采出硅烷,下塔区的第三出料口(9)采出含2~10%质量百分比氯硅烷的液体催化剂,侧线的第二出料口(8)采出四氯化硅、三氯氢硅的混合物;步骤(1)中,所述隔壁塔的塔内参数为:压力10~30个大气压,上塔区温度‑60~‑25℃,下塔区温度120~300℃,回流比0.5~6:1;步骤(2)中,所述上塔区回流的液相分配比按照下式确定:Z=AX+BX2+CY其中,Z为上塔区回流的液相分配比,X为中塔板区的横截面积与截面总面积之比,Y为隔壁塔回流比,A为1~1.2,B为2~2.5,C为0.4~0.5;所述隔壁塔的塔身自上而下依次为上塔区(1)、中塔区(2)和下塔区(3),塔身一侧为进料侧,塔身另一侧为出料侧;所述中塔区(2)包含靠近进料侧的中塔板区(201)和靠近侧线出料侧的中填料区(202),所述中塔板区和中填料区以隔壁(203)进行分隔;所述上塔区(1)、中塔区(2)和下塔区(3)的长度比例为1:5~20:1~2;所述中塔板区(201)的总塔板数为50~80,所述中填料区(202)采用规整填料,填料的高度和中塔板区相同;所述进料侧在所述中塔板区(201)上部设有第一进料口(4),在所述中塔板区(201)的45~70%高处设有第二进料口(5)、所述下塔区中部设有第三进料口(6)、所述下塔区底部设有第四出料口(11);所述出料侧在所述隔壁塔的上塔区(1)顶部设有第一出料口(7),所述上塔区上部设有第四进料口(10),在所述中填料区的20~35%高处设有第二出料口(8),在所述隔壁塔的下塔区(3)设有第三出料口(9)。
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