[发明专利]低温多晶硅阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板结构，包括：基板；在所述基板之上的有源层；在所述有源层之上的第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层之上的第一栅极层，所述第一栅极层在有源层的上方；覆盖所述第一栅极层的第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层之上的第二栅极层，所述第二栅极层在所述第一栅极层的上方。本发明有利于解决现有技术中的多晶硅薄膜晶体管阈值电压不均匀造成显示不均匀缺陷，以及阈值电压在工艺或使用过程中漂移的问题，同时不增加工艺复杂度。

主权项

一种低温多晶硅阵列基板结构，包括：基板；有源层，在所述基板之上；第一栅极绝缘层，在所述有源层之上；第一栅极层，在所述第一栅极绝缘层之上，所述第一栅极层在有源层的上方；第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层；第二栅极层，在所述第二栅极绝缘层之上，所述第二栅极层在所述第一栅极层的上方。