[发明专利]陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件有效
| 申请号： | 201710073140.5 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107135560B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 阿闭恭平;西村升;胜田祐司 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H05B3/26 | 分类号： | H05B3/26 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 王轶;郑雪娜 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 结构 制法 半导体 制造 装置 部件 | ||
【主权项】：
一种陶瓷结构体，其是在AlN陶瓷基体的表面或内部包含加热电极的陶瓷结构体，其中，所述加热电极是在主成分WC中含有金属填料的加热电极，所述金属填料与AlN相比，电阻率低且热膨胀系数高，所述AlN陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。
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