[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710073456.4 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107768438B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林立凡;杨竣杰 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 周滨;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一主动层；至少一源极电极与至少一漏极电极，置于该主动层上；至少一栅极电极，置于该主动层上以及该源极电极与该漏极电极之间；一第一绝缘层，置于该源极电极、该漏极电极与该栅极电极上；至少一栅极金属层，置于该栅极电极与该第一绝缘层上，其中该栅极金属层包含至少一窄部与至少一宽部；至少一贯穿结构，置于该栅极金属层与该栅极电极之间；至少一第一源极金属层，置于该源极电极与该第一绝缘层上；至少一漏极金属层，置于该漏极电极与该第一绝缘层上；以及至少一第二源极金属层，置于该第一绝缘层上以及该栅极金属层与该漏极金属层之间。
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