[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710073471.9 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107068761B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张志豪;莫亦先;郭文晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括第一鳍状场效晶体管及接触条(源极/漏极接触层)。第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，往第一方向延伸，第一栅极结构，往与第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源极/漏极结构。接触条位于第一源极/漏极结构之上，在平面图往与第一源极/漏极结构交叉的第二方向延伸。接触条包括：第一部分，位于第一源极/漏极结构之上，及第二部分。第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠。在平面图中，第二部分于第一方向的宽度小于第一部分于第一方向的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一第一鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,FinFET)，包括：一第一鳍结构，往一第一方向延伸、一第一栅极结构，往与该第一方向交叉的一第二方向延伸、及一第一源极/漏极(S/D)结构；及一接触条(contact bar)，位于该第一源极/漏极结构之上，在平面图中往与该第一源极/漏极结构交叉的该第二方向延伸，其中：该接触条包括一第一部分，位于该第一源极/漏极结构之上，及一第二部分，该第二部分未与鳍结构及源极/漏极结构重叠，及在平面图中，该第二部分于该第一方向的宽度小于该第一部分于该第一方向的宽度。
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