[发明专利]气体传感器有效
| 申请号： | 201710075991.3 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108426921B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡明志;何羽轩 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种气体传感器包括第一衬底、至少一第一电极、传感结构、至少一第二电极以及第二衬底。至少一第一电极位于第一衬底上。传感结构位于至少一第一电极与第一衬底上。传感结构包括第一半导体层及第二半导体层，其中第一半导体层具有第一导电型，覆盖第一衬底与至少一第一电极上；第二半导体层具有第二导电型，位于第一半导体层上。至少一第二电极覆盖传感结构。第二衬底覆盖至少一第二电极与传感结构。本发明的气体传感器具有量测多种界面/接面的功能，以提升气体传感器的选择性与灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种气体传感器，其特征在于，包括：至少一第一电极，位于第一衬底上；传感结构，位于所述至少一第一电极与所述第一衬底上，所述传感结构包括：第一半导体层，具有第一导电型，覆盖所述第一衬底与所述至少一第一电极；以及第二半导体层，具有第二导电型，位于所述第一半导体层上；至少一第二电极，覆盖所述传感结构；以及第二衬底，覆盖所述至少一第二电极与所述传感结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710075991.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
