[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710076431.X | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN107086248B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 宋官宰;俞在炫;李寅鹤;张成熏;朴明圭;金荣睦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：衬底，其具有包括沟道区域的有源区；覆盖所述有源区的顶表面的栅绝缘层；栅电极，其覆盖所述有源区的所述顶表面上的所述栅绝缘层；掩埋绝缘图案，其在所述栅电极的下侧于所述有源区的所述沟道区域中，并且与所述衬底的顶表面间隔开；以及在所述衬底中位于所述掩埋绝缘图案的两侧并且从所述衬底的所述顶表面延伸到比所述掩埋绝缘图案的高度更低的高度的一对源/漏区域。
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