[发明专利]衬底处理装置有效
申请号: | 201710076980.7 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN107086189B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 藤野敏树;藤井优磨;野野村一树;马场美德;竹林雄二;寿崎健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能抑制喷嘴的黑色化并改善膜质的表面间的均匀性的衬底处理装置。具有:搭载并收纳多个衬底的处理室;以规定温度加热处理室的加热系统;原料气体供给系统,具有原料气体喷嘴,并且从原料气体喷嘴向处理室供给原料气体,原料气体喷嘴在处理室的衬底搭载方向上延伸并且具有多个供给孔和多个减压孔,多个供给孔在与衬底的搭载区域对应的高度开口,多个减压孔在比多个供给孔更靠下部且原料气体喷嘴内变得比规定温度低的位置开口并降低原料气体喷嘴内的压力;反应气体供给系统,向处理室供给与原料气体反应的反应气体;和控制部,构成为以在衬底上形成膜的方式控制加热系统、原料气体供给系统和反应气体供给系统。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,具有:处理室,搭载并收纳多个衬底;加热系统,以规定温度加热所述处理室;原料气体供给系统,具有原料气体喷嘴,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给原料气体,所述原料气体喷嘴在所述处理室的所述衬底的搭载方向上延伸且具有多个供给孔和多个减压孔,所述多个供给孔在与所述衬底的搭载区域相对应的高度开口,所述多个减压孔在比所述多个供给孔更靠下部且所述原料气体喷嘴内变得比所述规定温度低的位置开口,降低所述原料气体喷嘴内的压力;反应气体供给系统,向所述处理室供给与所述原料气体反应的反应气体;和控制部,构成为控制所述加热系统、所述原料气体供给系统和所述反应气体供给系统,交替进行下述处理从而在所述衬底上形成膜:将以搭载状态收纳了多个衬底的所述处理室以所述规定温度加热,并且从所述原料气体喷嘴向所述处理室供给所述原料气体的处理;和向所述处理室供给所述反应气体的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造