[发明专利]一种沟槽结构肖特基半导体装置在审
| 申请号： | 201710077041.4 | 申请日： | 2017-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108428744A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽结构肖特基半导体装置，为肖特基整流器件，在漂移层中设置反型区或在沟槽底部设置浮空结构，同时设置反型区或浮空结构远离漂移层表面，以此降低沟槽结构绝缘材料电场，提高器件可靠性，增加反向偏压下电场纵向变化，降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽结构 半导体装置 电场 反型区 漂移层 肖特基 浮空 肖特基整流器 器件可靠性 导通电阻 反向偏压 降低器件 绝缘材料 纵向变化 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽结构肖特基半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为高浓度掺杂第一导电半导体材料；漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁设置绝缘材料，沟槽内填充导电材料，导电材料包括为金属或掺杂多晶硅，沟槽底部位于漂移层中；多个第二导电半导体材料区，位于漂移层和衬底层之间部分区域，为第二导电半导体材料；肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面；上表面电极层，为金属，连接肖特基势垒结和沟槽内导电材料；下表面电极层，为金属，位于衬底层背部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朱江，未经朱江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710077041.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属/多晶硅栅极沟槽功率MOSFET及其形成方法
- 下一篇：用于金属化的对准
- 同类专利
- 专利分类
