[发明专利]一种MoO2纳米棒的制备方法

摘要

本发明提供了一种MoO2纳米棒的制备方法，包含以下步骤：(1)对蓝宝石单晶基底进行超声清洗；(2)将S粉与MoO3粉末置于石英舟中，间隔18‑22cm，并将步骤(1)处理的蓝宝石置于MoO3粉末上；(3)将步骤(2)准备好的石英舟置于CVD加热炉中进行加热，冷却至室温后，即得到MoO2纳米棒。通过本发明的制备方法可以制备得到形貌均匀、纯度高、沿晶向生长的高定向的MoO2纳米棒产品，其在蓝宝石基底上能够实现很好的外延生长，重复性好。 1

主权项

1.一种MoO2纳米棒的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)对蓝宝石单晶基底进行超声清洗；(2)将S粉与MoO3粉末置于石英舟中，间隔18‑22cm，并将步骤(1)处理的蓝宝石置于MoO3粉末上；S粉与MoO3粉末的质量比为(30:1)‑(20:1)；(3)将步骤(2)准备好的石英舟置于CVD加热炉中进行加热，冷却至室温后，即得到MoO2纳米棒；S粉所在的温区为第一温区，MoO3粉末所在的温区为第二温区；其中，加热过程中通入载气，加热过程具体包含以下步骤：(a)先经过5‑15min的加热处理使MoO3粉末所在的第二温区的温度升至100℃‑200℃，并持续该温度20‑35min；(b)步骤(a)完成后，继续加热第二温区，使第二温区的温度在25‑40min内升至700‑800℃，并持续该温度5‑20min；当第二温区的温度升至690‑710℃时，开始加热S粉所在第一温区，使第一温区的温度升至150‑250℃，保持该温度10‑20min；其中，加热第一温区时的升温速率10‑25℃/min；(c)步骤(b)完成后，将第二温区的温度在20‑30min内降至500‑600℃，然后关闭CVD加热炉开关，打开炉子，让其迅速降至室温，CVD加热炉内的气压在步骤(3)整个过程中保持一个大气压；步骤(a)过程中保持载气流量为400‑510sccm，步骤(b)过程中载气流量为25‑55sccm，步骤(c)过程中保持载气流量为400‑510sccm。