[发明专利]一种超结沟槽MOS结构半导体装置在审
| 申请号： | 201710079518.2 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN108428742A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结沟槽MOS结构半导体装置，为整流器件和功率MOSFET基础结构；本发明的沟槽超结MOS结构半导体装置在沟槽底部设置反型区或者将栅极与漂移层之间设置半导体结，去除沟槽栅绝缘层的峰值电场或形成极端情况下导电通路，提高器件栅电极可靠性，同时将沟槽下部半导体材料设置为电荷补偿区，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 超结 结构半导体 沟槽MOS 绝缘层 半导体材料 半导体装置 电荷补偿区 功率MOSFET 器件栅电极 半导体结 导电通路 导通电阻 峰值电场 基础结构 整流器件 反型区 沟槽栅 漂移层 去除 | ||
【主权项】：
1.一种超结沟槽MOS结构半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为高浓度掺杂第一导电半导体材料；漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个沟槽，位于漂移层中，沟槽内上部侧壁表面设置有绝缘层，沟槽内下部填充有第二导电半导体材料，与衬底层相连，沟槽内上部填充多晶硅形成栅极导电材料；体区，为第二导电半导体材料，位于沟槽之间漂移层内上部；源区，为第一导电半导体材料，临靠沟槽侧壁和体区表面。
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