[发明专利]消除叠层材料预混层的方法有效
申请号: | 201710081235.1 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN106847671B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 王窈;高原;付秋菠;孙秀娟;郭菲;房旷 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人: | 袁辰亮 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种消除叠层材料预混层的方法,所述的方法包括以下步骤:当叠层材料为金属叠层材料时,在所述金属叠层材料的每两种金属材料层之间设置一层非金属材料层或半导体材料层,消除所述金属叠层材料的预混层;或者,当叠层材料为非金属叠层材料时,在所述非金属叠层材料的每两种金属与非金属材料之间设置一层组成金属氧化物的对应金属材料层,消除所述非金属叠层材料的预混层。本发明在金属叠层材料中加入非金属材料或者半导体材料,在非金属叠层材料中,通过在金属与非金属材料间添加组成金属氧化物的相应金属材料,从而达到消除叠层材料预混层的效果。 | ||
搜索关键词: | 消除 材料 预混层 方法 | ||
【主权项】:
1.一种消除叠层材料预混层的方法,其特征在于:所述的方法包括以下步骤:当叠层材料为金属叠层材料时,在所述金属叠层材料的每两种金属材料层之间设置一层非金属材料层或半导体材料层,将所述非金属材料层或半导体材料层作为过渡材料,通过降低金属材料的活性,消除所述金属叠层材料的预混层;其中所述金属叠层材料为金属材料与金属材料按照一定厚度比例交替沉积的材料,加入所述过渡材料后,组成金属叠层的两层金属材料层之间为消除预混层所用的过渡材料层;或者,当叠层材料为非金属叠层材料时,在所述非金属叠层材料的每两种金属与非金属材料之间设置一层组成金属氧化物的对应金属材料层,将所述金属材料层作为过渡材料,用于阻挡金属与非金属材料间的氧原子扩散,消除所述非金属叠层材料的预混层,其中所述非金属叠层材料为金属材料与非金属材料按照一定厚度比例交替沉积的材料,所述非金属材料为金属氧化物,而所述过渡材料则为组成金属氧化物的对应的金属材料,加入所述过渡材料后,组成非金属叠层的金属层与金属氧化物层之间为消除预混材料层所用的过渡材料层,即为组成金属氧化物的对应的金属材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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