[发明专利]使用埋入式架桥硅穿通孔内连件的半导体封装

摘要

本发明公开了一种半导体封装，包含一树脂模塑封装衬底，包含树脂模塑堆芯、多个贯穿树脂模塑堆芯的金属插塞、前侧重分布层结构，以及背侧重分布层结构；一架桥硅穿通孔内连件，埋设于树脂模塑堆芯内，其中架桥硅穿通孔内连件包含一硅基底部、一整体构成在硅基底部上的重分布层结构，以及多个设于硅基底部中的穿硅通孔；一第一半导体芯片及一第二半导体芯片，设于前侧重分布层结构上，其中第一半导体芯片与第二半导体芯片位于共平面。

主权项

一种半导体封装，其特征在于，包含有：一树脂模塑封装衬底，包含一树脂模塑堆芯、多个金属插塞，贯穿所述树脂模塑堆芯的一正面及一背面、一前侧重分布层结构，整体构成在所述树脂模塑堆芯的所述正面上，以及一背侧重分布层结构，整体构成在所述树脂模塑堆芯的所述背面上；一架桥硅穿通孔内连件，埋设于所述树脂模塑堆芯内，其中所述架桥硅穿通孔内连件包含一硅基底部、一内埋的重分布层结构，整体构成在所述硅基底部上，以及多个穿硅通孔，设于所述硅基底部中，其中所述多个穿硅通孔电连接所述背侧重分布层结构；多个连接件，埋设于所述树脂模塑堆芯内，其中所述多个连接件介于所述架桥硅穿通孔内连件的所述重分布层结构与所述前侧重分布层结构之间；一第一半导体芯片，设于所述前侧重分布层结构上；一第二半导体芯片，设于所述前侧重分布层结构上，其中所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片位于共平面；以及多个锡球，设于所述背侧重分布层结构的一下表面上。