[发明专利]一种钛酸钡薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种钛酸钡薄膜的制备方法，该制备方法采用BaTiO3作为靶材，在经过特殊工艺处理过的绝缘基片上，采用离子溅射工艺沉积得到BaTiO3薄膜材料，该方法显著改善和控制了材料的组织结构，使得衬底和钛酸钡完美匹配，得到的产品稳定性高，性能优良。

主权项

一种钛酸钡薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）基片处理将绝缘基片切削研磨后，将绝缘基片依次用洗洁精、去离子水超声清洗10‑15min，然后用质量百分数35％的浓氨水/质量百分数20％的双氧水/去离子水的混合溶液65‑75℃处理20‑25min，所述浓氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:3:4，最后用去离子水超声清洗150‑200s，取出、用干燥氮气吹干；（2）制备钛酸钡靶材将纳米BaTiO3粉末在1000℃下压制成直径为75‑100mm的BaTiO3靶材；将BaTiO3靶材依次用无水乙醇、去离子水中分别清洗5‑10min，以将BaTiO3靶材表面的杂质清洁干净，然后再在烘箱中将BaTiO3靶材烘干；（3）将上述干燥后的绝缘基片的温度调至100‑150℃，采用磁控溅射法，将所述钛酸钡靶材在所述绝缘基片上制成所述铁磁半导体薄膜材料；磁控溅射制成所述铁磁半导体薄膜材料的具体条件为，溅射腔压强1‑5Pa，溅射腔气氛为氩气，溅射功率为12‑15W/cm2，沉积速率为10‑100nm/min，溅射时间为3‑5h。