[发明专利]一种ZnGeP2半导体材薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnGeP2半导体材薄膜的制备方法，该制备方法采用ZnGeP2作为靶材，在经过特殊工艺处理过的绝缘基片上，采用离子溅射工艺沉积得到铁磁半导体薄膜材料，居里温度高，得到的产品稳定性高，性能优良。

主权项

一种ZnGeP2半导体材薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）基片处理将绝缘基片切削研磨后，依次在酒精、丙酮和去离子水中超声清洗100‑150s；然后，取出、用干燥氮气吹干；（2）制备ZnGeP2靶材按摩尔比Zn:Ge:P＝1:1:2的比例分别称取Zn、Ge和P三种单质原料，将原料一起研磨均匀，装入石英管内，抽真空后，封烧石英管；将石英管采用阶段性升温，先以25‑35℃/h的升温速率升至400℃‑450℃，恒温10‑15h，继续升温至反应温度850‑1000℃，恒温反应12‑15h，最后自然降温至室温；打开石英管，取出结晶较好的料块，用去离子水清洗干净，放置于烘箱中干燥处理，得到ZnGeP2靶材；（3）将上述干燥后的绝缘基片的温度调至100‑150℃，采用磁控溅射法，将所述ZnGeP2在所述绝缘基片上制成所述铁磁半导体薄膜材料；磁控溅射制成所述铁磁半导体薄膜材料的具体条件为，溅射腔压强1‑5Pa，溅射腔气氛为氩气，溅射功率为12‑15W/cm2，沉积速率为10‑100nm/min，溅射时间为3‑5h。