[发明专利]膜厚度监测系统、其腔室及用于监测膜厚度沉积工艺的方法有效
申请号: | 201710082246.1 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107686981B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 许祐霖;黄国兴;林建宏;石邦岷;宋兆峰 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C16/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 方丁一 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种膜厚度监测系统、其腔室以及一种用于监测膜厚度沉积工艺的方法。所述膜厚度监测系统包括材料源、阀门以及腔室,所述材料源用以提供沉积材料,所述阀门连接至所述材料源,所述腔室包括歧管、石英晶体微量天平以及压力传感器,所述歧管连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴,所述石英晶体微量天平与所述至少一个第二喷嘴相对地安置,所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上,且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板,压力传感器安置于所述歧管中。 | ||
搜索关键词: | 厚度 监测 系统 用于 沉积 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种膜厚度监测系统,其特征在于,包括:材料源,用以提供沉积材料;阀门,连接至所述材料源;以及腔室,包括:歧管,连接至所述阀门并具有至少一个第一喷嘴与至少一个第二喷嘴;石英晶体微量天平,与所述至少一个第二喷嘴相对地安置,其中所述沉积材料适于经由所述至少一个第二喷嘴而沉积于所述石英晶体微量天平上,且所述石英晶体微量天平包括面对所述至少一个第二喷嘴的活动遮板;以及压力传感器,安置于所述歧管中。
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