[发明专利]基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器有效
| 申请号： | 201710083010.X | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783868B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;王炜槐;韩广涛;陈佳;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，由于选择管与存储器件之间连接有压差产生器件，将压差产生器件上的压降作为存储器件体端与源端的电压差，作为存储器件的浮栅PMOS体端和源端不再等电位，并且体端电位高于源端，另一个方案则是在浮栅PMOS栅端和源端之间并联有电容。在PMOS浮栅不存储电荷的情况下，降低逻辑0状态下的漏电，无需增加工艺流程，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 工艺 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于CMOS工艺的单次可编程只读存储器，包括选择管和存储器件，所述的选择管与存储器件串联，所述选择管的另一端作为只读存储器的正极连接端，所述存储器件的另一端作为只读存储器的负极连接端，并在该端上设有判限电流源；其特征在于：所述的选择管与存储器件之间连接有压差产生器件，所述压差产生器件上的压降作为存储器件体端与源端的电压差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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