[发明专利]一种光栅耦合器有效
| 申请号： | 201710084329.4 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106873076B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张彦峰;许鹏飞;陈钰杰;余思远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/34 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光栅耦合器及其制备方法，该光栅耦合器，包括：从下往上依次为带绝缘层和光栅层的晶片、氧化层和波导层；其中光栅层的折射率大于光波导层材料的折射率；所述光栅层、光波导层均为预设周期的光栅结构；所述绝缘层上的光栅层作为分布式布拉格光栅反射镜。光耦合进入光栅耦合器的过程中，一部分光直接耦合进光波导层，另一部分光透过氧化层照射到分布式布拉格光栅反射镜，并被布拉格光栅反射镜反射回光波导层。绝缘层上的高折射率晶片作为分布式布拉格光栅反射镜，由于其高反射率，能尽可能地提升光栅耦合器向上辐射光信号的能力，大大提升光栅耦合器的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光栅 耦合器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光栅耦合器，其特征在于，包括：从下往上依次为带绝缘层和光栅层的晶片、氧化层和光波导层；其中，光栅层的折射率大于光波导层的折射率；所述光栅层和光波导层均为预设周期的光栅结构；所述绝缘层上的光栅层作为分布式布拉格光栅反射镜；该光栅耦合器制备方法，包括：S1、以带绝缘层和光栅层的晶片为衬底，然后在光栅层的顶部从下到上依次外延生长氧化层和光波导层；S2、进行单次的电子束光刻，并掩膜成型；S3、对光波导层、氧化层和光栅层整体进行单次的等离子体刻蚀，得到光栅耦合器。
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