[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201710084378.8 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107123682A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;佐佐木俊成;横山周平;羽持贵士 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶培勇,姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：绝缘膜；所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；所述源电极和所述漏电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的栅电极；电连接到所述源电极的第一布线；以及电连接到所述漏电极的第二布线，其中，所述氧化物半导体膜包括铟、镓和锌，所述源电极和所述漏电极的每个包括透明导电材料，并且所述第一布线和所述第二布线的每个包括金属。
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