[发明专利]一种氧化钨纳米线及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710084738.4 申请日: 2017-02-16
公开(公告)号: CN106745277A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 曹仕秀;彭玲玲;韩涛 申请(专利权)人: 重庆文理学院
主分类号: C01G41/02 分类号: C01G41/02;B82Y40/00
代理公司: 北京挺立专利事务所(普通合伙)11265 代理人: 王震秀
地址: 402160 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 一种氧化钨纳米线晶型,所述晶型在衍射角度2θ在14.86°、28.72°、29.98°、34.78°、38.08°、45.76°、50.02°、52.42°、59.44°、62.56°、64.48°、70.06°处有衍射峰,本发明氧化钨纳米线在350℃时获得最佳的乙醇气敏值,对10ppm、30ppm、50ppm、80ppm、100ppm乙醇在350℃工作温度下的响应值分别是59.18、64.82、67.41、70.88、73.56,制备方法简单可行,成品纯度高达99.1%,产品转移率以钨酸钠计高达91.2%,易实现大批量生产,制备原材料简单易得,价格低廉,值得市场推广应用。
搜索关键词: 一种 氧化钨 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氧化钨纳米线晶型,其特征在于:所述晶型在衍射角度2θ在14.86°、28.72°、29.98°、34.78°、38.08°、45.76°、50.02°、52.42°、59.44°、62.56°、64.48°、70.06°处有衍射峰。
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