[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板有效
| 申请号： | 201710085932.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106847890B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 曹英;刘祺;马超;杨津 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请的实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，其在氧化物半导体层形成氧空位，从而使得氧化物半导体层与源极层和漏极层形成很好的欧姆接触，降低氧化物半导体层与源极层和漏极层的接触电阻，进而提高氧化物薄膜晶体管的工作稳定性。本申请的实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管制备方法，包括：设置氧化物半导体层；在氧化物半导体层之上设置能与氧化物半导体层发生相互作用形成氧空位的保护层；在保护层之上形成源极层和漏极层；刻蚀源极层和漏极层覆盖范围之外的保护层；使所述氧化物半导体层在与所述保护层接触部分形成氧空位。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物薄膜晶体管制备方法，其特征在于，该方法包括：设置氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上设置能与所述氧化物半导体层发生相互作用形成氧空位的保护层；在所述保护层之上形成源极层和漏极层；刻蚀所述源极层和所述漏极层覆盖范围之外的所述保护层；令所述氧化物半导体层与所述保护层发生反应，以使所述保护层消失且所述氧化物半导体层在于所述保护层接触的部分形成氧空位。
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