[发明专利]薄膜沉积方法在审
| 申请号： | 201710086741.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108456865A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张同文;杨玉杰;丁培军;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将所述基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。该薄膜沉积方法可以获得厚度均匀性较好的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 薄膜沉积 预设 厚度薄膜 薄膜 厚度均匀性 基片水平 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。
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