[发明专利]屏蔽栅极沟槽式半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种屏蔽栅极沟槽式半导体装置及其制造方法，该装置包括以下构件。基底结构具有多个第一沟槽与多个第二沟槽。第一沟槽沿第一方向延伸，第二沟槽沿第二方向延伸，且第一方向与第二方向相交。第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度。第一下部电极分别设置于第一沟槽中。第一上部电极分别设置于第一沟槽中且位于第一下部电极上。第二下部电极分别设置于第二沟槽中。第二上部电极分别设置于第二沟槽中且位于第二下部电极上。第一下部电极、第一上部电极与基底结构彼此电性隔离。第二下部电极、第二上部电极与基底结构彼此电性隔离。本发明可降低导通电阻、提高崩溃电压，从而提升元件特性。

主权项

1.一种屏蔽栅极沟槽式半导体装置，其特征在于，包括：基底结构，具有多个第一沟槽与多个第二沟槽，所述多个第一沟槽沿第一方向延伸，所述多个第二沟槽沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交，且所述多个第一沟槽的深度大于所述多个第二沟槽的深度；多个第一下部电极，分别设置于所述多个第一沟槽中；多个第一上部电极，分别设置于所述多个第一沟槽中且位于所述多个第一下部电极上；多个第二下部电极，分别设置于所述多个第二沟槽中；以及多个第二上部电极，分别设置于所述多个第二沟槽中且位于所述多个第二下部电极上，其中所述多个第一下部电极、所述多个第一上部电极与所述基底结构彼此电性隔离，所述多个第二下部电极、所述多个第二上部电极与所述基底结构彼此电性隔离。