[发明专利]氟硼酸锂非线性光学晶体的制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710089836.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106835263B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 潘世烈;史国强;张方方;张兵兵;杨志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/10;C30B29/66;C01B35/06;G02F1/355 |
| 代理公司： | 65106 乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张莉 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种氟硼酸锂非线性光学晶体的制备方法和用途，该晶体化学式为Li | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 非线性 光学 晶体 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种氟硼酸锂非线性光学晶体的生长方法，其特征在于该晶体的分子式为Li
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