[发明专利]用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统有效
| 申请号： | 201710090927.2 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107093553B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | W·舒斯特德;M·布鲁格;M·杰里纳克;J·G·拉文;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 半导体 衬底 中的 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于将离子注入到半导体衬底中的方法(100)，所述方法包括：向半导体衬底中执行离子的测试注入(110)，其中所述测试注入的离子在所述半导体衬底上以第一注入角度范围注入；在所述测试注入(110)之后，基于所述半导体衬底来确定(120)注入角度偏移；基于所确定的注入角度偏移来调整(130)所述半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度；以及在所述倾斜角度的调整(130)之后，向所述半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入(140)，其中所述至少一个目标注入的离子在所述半导体衬底上以第二注入角度范围注入，其中所述第一注入角度范围大于所述第二注入角度范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
