[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法在审
| 申请号： | 201710093597.2 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106887494A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；应力释放层包括第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为掺有硅的氮化镓层，第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置；有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，多层铟镓氮层和多层氮化镓层交替层叠设置，第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，第三子层中铟的掺杂浓度沿外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低。本发明最终提高了LED的亮度和反向击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温氮化镓层、高温氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型氮化镓层；所述应力释放层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为掺有硅的氮化镓层，所述第二子层包括多层未掺杂的铟镓氮层和多层未掺杂的氮化镓层，所述多层未掺杂的铟镓氮层和所述多层未掺杂的氮化镓层交替层叠设置；所述有源层包括多层铟镓氮层和多层氮化镓层，所述多层铟镓氮层和所述多层氮化镓层交替层叠设置，其特征在于，所述第三子层为掺杂铟和硅的氮化镓层，所述第三子层中铟的掺杂浓度沿所述外延片的层叠方向逐渐升高或者逐渐降低。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710093597.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管的外延片及其制备方法
- 下一篇：发光二极管的外延片及其制作方法
