[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201710096491.8 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN108123010A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 刘书岩;李岳霖 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张秋越 |
地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包含:提供一基板,包含相对应的一第一硅表面与一第二硅表面;形成一第一钝化层于该第一硅表面上;形成一第一网印电极于该第一硅表面上;于该第一钝化层上形成一第一图案化开槽,以裸露该第一硅表面;以及将该第一网印电极作为电镀接点,使该第一图案化开槽于一第一电镀液中形成一第一电镀金属层。本发明的太阳能电池的制造方法利用一网印电极作为电镀接点而形成一电镀金属层,如此在P型硅基板及N型硅基板上都可直接电镀。本发明可同时电镀正面电极与背面电极,以减少制程时间。 | ||
搜索关键词: | 硅表面 电镀 太阳能电池 电极 网印 电镀金属层 钝化层 图案化 制造 基板 开槽 背面电极 正面电极 电镀液 制程 裸露 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包含:提供一基板,包含相对应的一第一硅表面与一第二硅表面;形成一第一钝化层于该第一硅表面上;形成一第一网印电极于该第一硅表面上;于该第一钝化层上形成一第一图案化开槽,以裸露该第一硅表面;以及将该第一网印电极作为电镀接点,使该第一图案化开槽于一第一电镀液中形成一第一电镀金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的