[发明专利]一种SOI-LIGBT器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多了一个栅板，还有一个P体区2，介于反型所形成的高电阻，阳极P+中的空穴可以更快的注入漂移区，从而消除负阻效应。对比普通SA‑LIGBT，本发明在关断速度不变同时击穿电压提升的情况下，消除了阳极短路LIGBT(SA‑LIGBT)在导通过程中会出现的负阻效应。

主权项

1.一种SOI-LIGBT器件，其特征在于：其元胞结构包括硅衬底（1）、位于硅衬底（1）上的埋氧层（2），位于埋氧层（2）上的P阱（3），位于P阱（3）上相邻设置的P体区1（4）、N型漂移区（10）、P体区2（16）以及第一氧化层（9）；/nP体区1（4）设置于P阱（3）顶部一侧，阴极重掺杂P+区（5）和阴极重掺杂N+区（7）彼此独立地设置于P体区1（4）中、且阴极重掺杂P+区（5）和阴极重掺杂N+区（7）均与阴极（6）相接触；/nP体区2（16）设置于P阱（3）顶部另一侧，在P体区2（16）中设有阳极重掺杂N+区（15）并位于其顶部一侧；/nN型漂移区（10）设置于P体区1（4）和P体区2（16）之间，在N型漂移区（10）中设有N型缓冲层（11）并与P体区2（16）侧面相接触，N型缓冲层（11）中设置有阳极重掺杂P+区（12）；阳极（13）分别与阳极重掺杂N+区（15）、阳极重掺杂P+区（12）正面部分接触，在阳极（13）与阳极重掺杂N+区（15）、P体区2（16）、阳极重掺杂P+区（12）之间间隔有第二氧化层（14）；/n在阴极（6）与阳极（13）之间间隔有第一氧化层（9），第一氧化层（9）表面还设有栅电极（8）。/n