[发明专利]一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710097435.6 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108461643A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 辛征航;向超宇;李乐;张滔;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法，其中，所述器件包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极，所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面，在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半透明电极。本发明实现了单个像素点的独立发光要求以及微腔效应对器件发光的单色性和发光效率的增强；同时本发明还优化了器件的微腔结构，并简化了工艺过程，整体提高了器件的集成度，降低了器件的制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 场效应晶体管器件 绝缘隔离层 第三电极 顶发射 光量子 基底 发光 绝缘层 半透明电极 单个像素点 表面形成 第二电极 第一电极 发光效率 工艺过程 阶梯位置 透明电极 微腔结构 微腔效应 向上延伸 依次叠放 集成度 单色性 发光层 量子点 全反射 下表面 电极 刻蚀 优化 | ||
【主权项】：
1.一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件，其特征在于，包括依次叠放的基底、第一电极、绝缘层、第二电极、量子点发光层以及第三电极，所述基底预先刻蚀成具有三个不同高度的表面，在相邻不同高度表面形成的阶梯位置处设置有向上延伸直至与所述第三电极下表面接触的第一绝缘隔离层和第二绝缘隔离层，所述第一电极为全反射电极，所述第二电极为透明电极，所述第三电极为半透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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