[发明专利]磁性随机存取存储器（MRAM）和操作方法有效
| 申请号： | 201710098209.X | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107134291B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·A·塞德;阿尼尔班·罗伊;布鲁斯·莫顿;法兰克·凯尔西·小贝克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置包括第一存储单元，所述第一存储单元具有第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件。在读取操作期间，感测电流被引导穿过所述第二晶体管，并且所述第一晶体管用于感测在所述电阻式存储元件的第一端处的反馈电压。在写入操作期间，电流被引导穿过所述第一和第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取存储器 mram 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其特征在于，包括：第一存储单元，其包括第一晶体管、第二晶体管和电阻式存储元件，其中在读取操作期间，感测电流被引导穿过所述第二晶体管，并且所述第一晶体管用于感测在所述电阻式存储元件的第一端处的反馈电压，并且在写入操作期间，电流被引导穿过所述第一和第二晶体管。
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