[发明专利]用于片上集成的整流桥结构

摘要

本发明公开了一种用于片上集成的整流桥结构，属于电路领域。该整流桥结构包括构成整流桥的四个二极管、两个少子保护环；四个所述二极管中的第一二极管和第二二极管分别被一个少子保护环包围；所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，所述少子保护环贯穿所述二极管所在的P型外延层；所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围；解决了现有技术中将整流桥和主芯片集成到同一块衬底时，整流桥会出现寄生漏电的问题；达到了能够将整流桥和主芯片集成到同一块衬底，提高产品的集成程度的效果。

主权项

1.一种用于片上集成的整流桥结构，其特征在于，所述整流桥结构包括两个少子保护环、以及构成整流桥的第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管；所述第一二极管和所述第二二极管分别被一个少子保护环包围；所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，一个所述少子保护环贯穿所述第一二极管所在的P型外延层，另一个所述少子保护环贯穿所述第二二极管所在的P型外延层；所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围。