[发明专利]压力传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710099622.8 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108469318A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 何羽轩;蔡明志;谢明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压力传感器及其制造方法。压力传感器包括一第一电极、覆盖第一电极的一感压层以及覆盖感压层的一第二电极。所述感压层中包括支撑材料，所述支撑材料为长径比在100至5000的纳米级材料。通过纳米级材料的特性，能提升压力传感器中感压层的机械性质。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 感压层 纳米级材料 第一电极 支撑材料 第二电极 机械性质 长径比 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：第一电极；感压层，覆盖所述第一电极，其中所述感压层包括支撑材料，所述支撑材料包括长径比在100至5000的纳米级材料；以及第二电极，位于所述感压层上。
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