[发明专利]一种具有浮空层分裂栅的MOSFET在审
| 申请号： | 201710100069.5 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784010A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨东霓;胡慧雄;顾南雁 | 申请（专利权）人： | 深圳市迪浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司44384 | 代理人： | 曹红梅,苏芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，包括N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续。本发明通过P型浮空层的引入大大优化了传统split‑gate的内部电场在不需要外mask下优化split‑gate，进一步减小split‑gate的Rsp，提高了split‑gate的击穿电压，获得了良好的静电保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 浮空层 分裂 mosfet | ||
【主权项】：
一种具有浮空层分裂栅的MOSFET，其特征在于，包括：N+衬底层，N+衬底层上设有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，两Trench槽之间为不连续的P‑body层，两Trench槽贯穿P‑body层至N‑外延层上部；每一Trench槽内均充满SiO2层，SiO2层中设有两不连续的Poly结构；每一Trench槽口外侧在P‑body层中围有一圈N‑阱；P‑body层上设有Metal层；两Trench槽内的SiO2满出至Metal层；在N‑外延层中，对应每一Trench槽下方设置有P型浮空层，两P型浮空层不连续。
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