[发明专利]一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备有效
| 申请号： | 201710100093.9 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108471666B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 成晓阳;韦刚;卫晶;柏锦枝;杨京 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 陈亚英 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体产生方法及装置和半导体处理设备。该等离子体产生方法包括：上射频源输出主脉冲信号，用于激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，在主脉冲信号的关闭阶段，上射频源输出一个或多个辅助脉冲信号，辅助脉冲信号能维持反应腔室内的等离子体在主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态。该等离子体产生方法通过辅助脉冲信号维持反应腔室内的等离子体在主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态，能够防止反应腔室内因为加载的主脉冲功率不足所导致的在主脉冲信号关闭阶段的等离子体灭辉，从而实现反应腔室内等离子体的稳定产生及工艺窗口的扩大，使等离子体工艺能够稳定进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 产生 方法 装置 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体产生方法，包括：上射频源输出主脉冲信号，用于激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，其特征在于，在所述主脉冲信号的关闭阶段，所述上射频源输出一个或多个辅助脉冲信号，所述辅助脉冲信号能维持所述反应腔室内的所述等离子体在所述主脉冲信号的关闭阶段处于起辉状态。
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