[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710100429.1 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107123670B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;王永裕;詹咏翔;蔡佳萦;王廷君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 描述一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极结构、间隔件以及应变源极和漏极区。至少一个栅极结构设置在衬底上方以及隔离结构上。间隔件设置在至少一个栅极结构的侧壁上。第一阻挡材料层设置在间隔件上。应变源极和漏极区设置在至少一个栅极结构的两个相对侧上。第二阻挡材料层设置在应变源极和漏极区上。第一阻挡材料层和第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料。本发明实施例还提供一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管，包括：衬底，具有隔离结构和位于所述隔离结构之间的鳍；至少一个栅极结构，设置在所述衬底上方并且在所述隔离结构上；间隔件，设置在所述至少一个栅极结构的侧壁上；第一阻挡材料层，设置在所述间隔件上；应变源极和漏极区，设置在所述至少一个栅极结构的相对侧上；以及第二阻挡材料层，设置在所述应变源极和漏极区上，其中，所述第一阻挡材料层和所述第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料。
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