[发明专利]一种具有光子晶体结构的发光二极管在审
| 申请号： | 201710100547.2 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108511572A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 梁宗文;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有光子晶体结构的发光二极管，包括自下而上依次设置的纳米图形化蓝宝石衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN欧姆接触层和ITO层，还包括在ITO层上引出的p型欧姆电极，在n型GaN层上引出n型欧姆电极，且在未掺杂GaN层上制备有反射光子晶体结构。本发明的优点在于：本发明采用纳米图形化蓝宝石衬底能够降低材料的位错和缺陷密度，提高发光二极管的内量子效率，同时由于图形尺寸缩小，还可进一步降低生产成本；同时，在未掺杂的GaN层制备反射光子晶体结构，能够将射向衬底的光反射回出光面，避免光的损失，提高光的利用率；进而能够有效地提高LED的发光效率和亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 衬底 反射光子晶体 光子晶体结构 未掺杂GaN层 纳米图形化 蓝宝石 制备 多量子阱有源区 内量子效率 欧姆接触层 尺寸缩小 发光效率 依次设置 出光面 光反射 未掺杂 有效地 位错 | ||
【主权项】：
1.一种具有光子晶体结构的发光二极管，其特征在于：包括自下而上依次设置的纳米图形化蓝宝石衬底、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型GaN欧姆接触层和ITO层，还包括在ITO层上引出的p型欧姆电极，在n型GaN层上引出n型欧姆电极，且在未掺杂GaN层上制备有反射光子晶体结构。
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