[发明专利]一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路

摘要

本发明公开了一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路，包括半桥驱动电路、功率半桥电路和自举电容充电电路。半桥驱动电路连接在母线电压和功率地之间，输入控制端连接到微处理器的PWM输出引脚，驱动电路的上、下半桥驱动信号输出端、以及各自接地端与功率半桥电路相连；驱动电路使用单一的MOSFET作为有源器件，上、下半桥驱动均仅使用三个MOSFET管，比传统三极管驱动电路输出电流大，易于模块集成，与使用驱动芯片的方案相比具有成本优势；自举电容充电电路同时与上半桥驱动电源端和上半桥驱动浮动地端相连，且自举电容充电电路与驱动电路共用低压电源输入。本发明具体有紧凑的结构，驱动速度快，易于集成，适于各种功率半桥电路的驱动。

主权项

一种分立MOSFET构成的半桥驱动电路，包括驱动电路及其连接驱动的功率半桥电路；所述功率半桥电路包括上半桥和下半桥，依次串联在母线电压和功率地之间；所述驱动电路包括上半桥驱动和下半桥驱动，上半桥驱动和下半桥驱动的控制信号输入端分别连接到单片机的PWM输出管脚、驱动信号输出端分别连接上半桥和下半桥的控制端，其特征在于：所述上半桥驱动包括P型MOSFET Q1和N型MOSFET Q2、Q4；其中Q1的源极连接低压电源输入端，Q1的漏极通过电阻R1连接上半桥驱动信号输出端，Q1的栅极通过并联的电阻R3、电容C3连接Q4的漏极，Q1的栅极与源极之间还连接有并联的电阻R2、稳压管D2；其中Q4的栅极通过并联的电阻R7、电容C4连接单片机的PWM输出管脚，Q4的源极连接功率半桥电路的上半桥与下半桥之间的公共端，Q4的漏极连接到Q2的栅极驱动模块；所述Q2源极和漏极分别连接Q4的源极和上半桥驱动信号输出端。