[发明专利]控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201710102575.8 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107808682B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 金道霓 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 任静;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文可以提供一种控制电路、外围电路、半导体存储器件以及操作该器件和电路的方法。操作半导体存储器件的方法可以包括将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置选中的存储单元的位线的电压。操作半导体存储器件的方法可以包括将编程脉冲施加到选中的存储单元的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 控制电路 外围 电路 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作其中选中的存储单元被编程的半导体存储器件的方法，所述方法包括：将具有阶跃脉冲与斜坡信号组合的形式的控制信号施加到晶体管的栅电极以用于设置所述选中的存储单元的位线的电压；以及将编程脉冲施加到所述选中的存储单元的字线。
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