[发明专利]真空装置在审

专利信息
申请号: 201710102611.0 申请日: 2017-02-24
公开(公告)号: CN107275252A 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 山元一生;清水敦;高木阳一;中越英雄;小松了;新开秀树;小田哲也 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陈力奕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种真空装置,即使是小型的通信用模块也能以充分地抑制了温度上升的状态来实施溅射处理、等离子处理等表面处理。真空装置(100)包括配置于真空腔室(1)内部的被处理物载放部(2);以及与真空腔室(1)相连接的真空排气部(9)。被处理物载放部(2)具有载放被处理物(5)的一个主面(2a)、以及与一个主面(2a)相连接的侧面,且设置有多条在一个主面(2a)具有开口的槽(3)。从一个主面(2a)侧观察被处理物载放部(2)时,一个主面上的槽(3)的开口的最短宽度(w1)为被处理物(5)的最短宽度(w2)的一半以下。
搜索关键词: 真空 装置
【主权项】:
一种真空装置,包括:被处理物载放部,该被处理物载放部配置于真空腔室的内部,具有载放被处理物的一个主面、及与所述一个主面相连接的侧面,且设置有多条在所述一个主面具有开口的槽;以及排气单元,该排气单元与所述真空腔室相连接,所述真空装置的特征在于,从所述一个主面侧观察所述被处理物载放部时,所述一个主面上的所述槽的开口的最短宽度为所述被处理物的最短宽度的一半以下。
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