[发明专利]一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置有效
| 申请号： | 201710104091.7 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106876304B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 李明晖;杨晓峰;吕耀军;张超;王彬;李桂 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置，涉及湿法刻蚀技术领域，解决了现有湿法刻蚀设备的腔体的抽换气系统调节能力有限，无法在保证湿法刻蚀工艺需求的情况下，保证腔体内的压力平衡，从而导致挥发性酸性气体以及反应副产物气体泄漏到腔体外部，对技术人员造成伤害，对环境造成污染的技术问题。该湿法刻蚀排气系统包括：抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体；其中，抽换气管道与所述腔体相连，真空罩体与所述抽换气管道相连；抽换气管道通过第一阀控单元与腔体连通，抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通。本发明应用于湿法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 刻蚀 排气 系统 装置 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀排气系统，其特征在于，包括：抽换气管道和罩在湿法刻蚀设备的腔体的腔门上的真空罩体；其中，所述抽换气管道与所述腔体相连，所述真空罩体与所述抽换气管道相连；所述抽换气管道通过第一阀控单元与所述腔体连通，所述抽换气管道通过第二阀控单元与所述真空罩体连通；所述真空罩体与所述腔体的接触位置还设置有密封圈。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710104091.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件失效定位方法
- 下一篇：功率芯片全自动加工系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
