[发明专利]一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺，包括陶瓷基板，依次制备在陶瓷基板上的底电极薄膜，电容功能薄膜和顶电极薄膜；所述电容功能薄膜是聚酰亚胺薄膜；所述底电极薄膜是钛钨‑金‑钛钨三层结构；所述顶电极薄膜是钛钨‑金双层薄膜。本发明的高温高频聚酰亚胺薄膜电容器具有耐高温，温度特性好，制造成本低廉，可重复性好等特点，由于聚酰亚胺薄膜具有耐高温，耐酸碱，高频特性好，可以在使用环境要求更为苛刻的航空航天，工业应用等领域使用，因此高温高频聚酰亚胺薄膜电容器可以带来具大的军事价值及商业价值。

主权项

1.一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、选取单面抛光的陶瓷基板，依次用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，各10±2分钟，然后在180～250℃的烘箱中烘干，时间120～150分钟；步骤2、底电极溅射：采用磁控溅射的方法依次在陶瓷基板的抛光面上溅射钛钨粘附层、下电极层和下电极阻挡层；下电极层的溅射时间40～60分钟，厚度2‑4μm；钛钨厚度约150～200nm；步骤3、用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，然后在150±5℃的烘箱中烘干，时间60～90分钟；步骤4、采用旋转涂覆的方式，在陶瓷基板上制备聚酰亚胺薄膜并光刻出下电极板，前烘温度95～110℃，前烘时间90±10秒；曝光时间10±3秒；经显影后烘；然后在250±5℃的烘箱中固化，固化时间240～300分钟；步骤5、分别用丙酮、酒精，去离子水对陶瓷基板进行超声波清洗，各10±2分钟，然后在180～250℃的烘箱烘干，时间120～150分钟；步骤6、顶电极溅射：采用磁控溅射的方法在陶瓷基板上依次溅射上电极阻挡层和上电极层，上电极层溅射时间15～20分钟，厚度200～300nm；步骤7、电镀：对陶瓷基板上的上电极层进行电镀加厚，金层厚度2～4μm；步骤8、二次光刻：涂胶；在95～110℃的热板上烘烤90±10秒；曝光10±3秒；显影；刻蚀顶部上电极层和顶部上电极阻挡层，即刻蚀出上电极板；去胶；最后在120±10℃的热板上烘干5～10分钟；步骤9、划片切割：采用机械切割的方法，对陶瓷基板进行划片切割，制得尺寸符合要求的薄膜电容器。