[发明专利]一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管在审
| 申请号： | 201710107047.1 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN108511531A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/45;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，肖特基二极管包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和所述第二半导体层都为n型掺杂的GaN基半导体材料，在第一半导体层的N面形成肖特基接触，在所述第二半导体层的Ga面上形成欧姆接触，在N面上做肖特基接触，可提升器件的性能，解决反向漏电偏大，正向导通压降偏大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 肖特基二极管 肖特基接触 制作工艺 半导体制造技术 正向导通压降 反向漏电 欧姆接触 提升器件 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次生长第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层都为n型掺杂的GaN基半导体材料，所述第一半导体层和所述第二半导体层远离所述衬底的一面都为Ga面；在所述第二半导体层的Ga面上制作欧姆接触金属层，形成欧姆接触；在所述欧姆接触金属层上键合基板；倒装，并使所述第一半导体层的N面暴露；在所述第一半导体层的N面上制作肖特基接触金属层，形成肖特基接触。
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