[发明专利]发光二极管封装结构在审

专利信息
申请号: 201710107172.2 申请日: 2017-02-27
公开(公告)号: CN108511576A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 林厚德;曾文良;陈隆欣;陈滨全;张超雄;林新强 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 谢志为
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管封装结构,其包括一基座以及至少一发光二极管芯片,基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度,基座上形成一收容腔,收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端,收容腔在基座的顶部具有一正向开口,在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口,发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开口射出。
搜索关键词: 收容腔 发光二极管封装结构 发光二极管芯片 侧向开口 正向 开口 光线通过 射出 垂直 贯通
【主权项】:
1.一种发光二极管封装结构,其包括一基座以及至少一发光二极管芯片,其特征在于:所述基座沿第一方向的长度大于沿垂直第一方向的第二方向的长度,所述基座上形成一收容腔,所述收容腔贯通基座的顶部以及基座沿第一方向上的两端,收容腔在基座的顶部具有一正向开口,在基座的沿第一方向上的两端分别具有侧向开口,所述基座包括一绝缘座,所述绝缘座包括长方形的底座、由所述底座第一方向的侧边垂直向上延伸的两个第一侧壁以及由所述底座第二方向的侧边垂直向上延伸的两个第二侧壁,所述两个第一侧壁平行相对,所述两个第二侧壁平行相对,所述两个第一侧壁、两个第二侧壁与底座共同围成所述收容腔,所述第一侧壁的高度大于所述第二侧壁的高度,所述发光二极管芯片设置于所述收容腔中,发光二极管芯片发出的光线通过基座的正向开口以及侧向开口射出。
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