[发明专利]一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺有效
申请号: | 201710107469.9 | 申请日: | 2017-02-27 |
公开(公告)号: | CN106653954B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;汤平;姚伟忠 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华;任晓岚 |
地址: | 213002 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于多晶硅太阳能电池技术领域,特别涉及一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺。采用钝化反应促进液阿拉伯胶对硅片表面进行预处理,使硅片钝化程度更为均匀、更为可控,符合清洁、无污染操作工艺。 | ||
搜索关键词: | 多晶硅太阳能电池 二氧化硅钝化层 制备工艺 预处理 无污染操作 阿拉伯胶 钝化反应 硅片表面 促进液 硅片 钝化 可控 清洁 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅太阳能电池用二氧化硅钝化层的制备工艺,其特征在于:所述的制备工艺为,(1)将钝化反应促进液均匀涂刷在扩散后的硅片表面,并低温烘干,所述的钝化反应促进液为阿拉伯胶以45~70g/L的质量浓度溶于去离子水所形成的溶液;(2)将经过步骤(1)处理的硅片置于高温环境下,并同时通入氮气和氧气的混合气体,所述的高温环境的温度为700~800℃;(3)完成步骤(2)的氧化后,停止通氧,在氮气气氛下将环境温度降至退火温度进行退火处理,冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的