[发明专利]一种N+

摘要

本发明公开了一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯和制造方法，硅芯由下到上分别为N+型杂质扩散层、P型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、P型杂质扩散层和N+型杂质扩散层。硅芯侧面为四重开放PN结台面，该台面由各向同性化学腐蚀获得。同时公开了一种采用P型和N型两种半导体杂质在硅片上同步预沉积扩散制造N+PN‑PN+型四重PN结硅二极管硅芯的工艺技术装置。本发明所制造的正反向过压保护硅二极管方法的优点是：工艺简化，生产周期短，易于规模化生产，产品性价比高。

主权项

一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管硅芯，其特征在于，由上到下分别为N+型杂质扩散层、P型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、P型杂质扩散层、N+型杂质扩散层；除N‑型原始硅单晶层以外的其他四层杂质扩散区，均为P型和N型两种半导体杂质在原始硅片的正、反两面上同步预沉积扩散获得；硅芯侧面为开放PN结台面；开放PN结台面由酸性或碱性化学腐蚀获得。