[发明专利]一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种去本征区P⁺N⁺型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法。包括如下步骤：1)在N型硅单晶片的正、反两表面同步分别扩散入P+型半导体杂质硼和N+型半导体杂质磷，并使P⁺型杂质扩散区和N+型杂质扩散区穿越N型硅本征区后对接会合，得到去硅本征区P⁺N⁺型硅扩散片；2)P⁺N⁺型硅扩散片经镀镍、芯片锯切、底座焊接、台面钝化，压模成型，制成P⁺N⁺型低压硅二极管。本发明有助于解决生产超低压硅二极管之专用硅单晶制备难以及成本高的问题，选用硅单晶材料灵活，简化工艺流程，有效缩短生产周期，提高产品性价比，产品应用范围广，具有显著经济效益。

主权项

1.一种去本征区P+N+型低压硅二极管的制备方法，其特征在于它的步骤如下：1）在N型硅单晶片的正、反两表面同步分别扩散入P+型半导体杂质硼和N+型半导体杂质磷，并使P+型杂质扩散区和N+型杂质扩散区穿越N型硅本征区后对接会合，得到去硅本征区P+N+型硅扩散片，扩散时间为30～35小时，扩散温度为1270℃～1280℃，P+和N+型杂质表面浓度为1020～1021个原子/cm3，N型硅单晶片的厚度为180～200um，电阻率为0.01～0.02Ω·cm；2）在P+N+型硅扩散片的正、反两表面镀上镍层；3）将P+N+型硅扩散片锯切成低压硅二极管芯片；4）将低压硅二极管芯片与封装底座焊接，再经过台面钝化和压模成型，封装成低压硅二极管。