[发明专利]一步制备BiCuSeO基块体热电材料的方法在审
| 申请号： | 201710109129.X | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN107324291A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;杨东旺;唐昊;苏贤礼;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L35/16;H01L35/22;H01L35/34 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣,张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一步制备BiCuSeO基块体热电材料的方法，它以元素Bi、Cu和Se的单质或氧化物为原料，引发其化学反应后原位施加高压，从而制备得到BiCuSeO基块体热电材料。本发明首次采用引发反应后快速加压工艺制备了致密高性能BiCuSeO基块体热电材料，本发明一步实现了BiCuSeO化合物的合成与致密化，整个过程在10min内完成，工艺简单，产物热电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一步 制备 bicuseo 块体 热电 材料 方法 | ||
【主权项】：
一步制备BiCuSeO基块体热电材料的方法，其特征在于它以元素Bi、Cu和Se的单质或氧化物为原料，引发其化学反应后原位施加高压，从而制备得到BiCuSeO基块体热电材料。
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