[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。根据本实施方案的半导体装置包括：多个第一导电层，其在基板上方排列于第一方向，该第一方向与基板的上表面相交；半导体层，其面向该多个第一导电层的侧面并在作为其纵向方向的第一方向上延伸；配线部，其通过使第一导电层的端部分别处于不同位置而配置；和晶体管，其位于配线部的上方。该晶体管包括：沟道部，其配置在与第二导电层相同的高度，第二导电层为多个第一导电层的一个；栅极绝缘膜，其配置在沟道部的上表面；和栅极电极层，其配置在栅极绝缘膜的上表面。

主权项

半导体装置，包含：多个第一导电层，其在基板上方排列于第一方向，所述第一方向与所述基板的上表面相交；半导体层，其面向所述多个第一导电层的侧面并在作为其纵向方向的所述第一方向上延伸；配线部，其通过使所述第一导电层的端部分别处于不同位置而配置；和晶体管，其位于所述配线部的上方；所述晶体管包含：沟道部，其配置在与第二导电层相同的高度，所述第二导电层为所述多个第一导电层的一个；栅极绝缘膜，其配置在所述沟道部的上表面；和栅极电极层，其配置在所述栅极绝缘膜的上表面。