[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法有效
| 申请号： | 201710109849.6 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106929921B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 徐红燕;李文儒;于焕芹;翟婷 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/10;C30B29/66;G01N33/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张菡 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法；本发明的方法，无需先制备出二硫化钼粉末，而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼；无需涂覆、步骤简单、耗时短。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 原位 生长 分级 结构 二硫化钼 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法，其特征在于，包括以下步骤：一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层；二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液，120℃以上恒温水热生长12‑36 h，即可；所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成，其中，钼酸钠、硫脲的摩尔比为1：4‑5。
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